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英特尔正式推出10nm工艺制程技术 下半年开始生产

2017年9月19日 14:47  CCTIME飞象网  

飞象网讯(赵志伟/文)9月19日消息,在今天的“Intel精尖制造大会”上,英特尔正式公布10纳米工艺制程技术并计划于2017年下半年开始生产。同时,英特尔公司执行副总裁,制造、运营与销售集团总裁Stacy J·Smith展出了10nm技术的硅晶圆,这是未来 Cannon Lake CPU 最基础的部分,并将在今年年底前正式投产。

目前全球性能最高的是14纳米晶体管,业内大多数使用的还是14/16/20纳米制程,英特尔10 纳米工艺使用了超微缩技术 (hyper scaling),充分运用了多图案成形设计 (multi-patterning schemes),可以助力英特尔延续摩尔定律的经济效益,从而推出体积更小、成本更低的晶体管。未来英特尔10纳米制程将用于制造英特尔全系列产品。

在工艺方面,英特尔10纳米制程的最小栅极间距从70纳米缩小至54纳米,且最小金属间距从52纳米缩小至36纳米。尺寸的缩小使得逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管,是之前英特尔14纳米制程的2.7倍,大约是业界其他“10纳米”制程的2倍。

性能上,相比之前的14纳米制程,英特尔10纳米制程提升高达25%的性能和降低45%的功耗。相比业界其他所谓的“10 纳米”,英特尔10纳米制程也有显着的领先性能。

英特尔目前还在进行许多前沿项目的研究,包括纳米线晶体管、III-V晶体管、3D堆叠、密集内存、密集互联、EUV图案成形、神经元计算以及自旋电子学等领域。

编 辑:赵志伟
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