首页|滚动|国内|国际|运营|制造|监管|原创|业务|技术|报告|测试|博客|特约记者
手机|互联网|IT|5G|光通信|LTE|云计算|芯片|电源|虚拟运营商|移动互联网|会展
首页 >> 技术 >> 正文

业内曝三星3nm GAA存在漏电等关键技术问题,难与台积电匹敌

2021年8月30日 15:35  集微网  作 者:思坦

据业内人士透露,三星电子的 3nm GAA 工艺目前仍面临着漏电等关键技术问题,消息人士称,该工艺在性能和成本方面可能也不如台积电的 3nm FinFET 工艺。

据《电子时报》报道,上述人士表示,三星可能最早于 2022 年将其 3nm GAA 工艺量产,但由于成本高和性能不理想,可能无法吸引到台积电 3nm FinFET 工艺所获得的客户,后者据称已经获得了苹果和英特尔的订单。

台积电有望在 2022 年下半年将其 3nm FinFET 工艺推向量产,CEO 魏哲家在最近的财报会议上表示,“N3 将是我们 N5 的另一个全面扩展,并将采用 FinFET 晶体管结构,为我们的客户提供最佳的技术成熟度、性能和成本。”

在失去苹果 iPhone处理器订单后,三星在尖端芯片竞争中落后于台积电。据市场观察人士称,从苹果手中夺回订单将是这家韩国供应商赢得 3nm 竞争的关键。

编 辑:章芳
声明:刊载本文目的在于传播更多行业信息,本站只提供参考并不构成任何投资及应用建议。如网站内容涉及作品版权和其它问题,请在30日内与本网联系,我们将在第一时间删除内容。本站联系电话为86-010-87765777,邮件后缀为#cctime.com,冒充本站员工以任何其他联系方式,进行的“内容核实”、“商务联系”等行为,均不能代表本站。本站拥有对此声明的最终解释权。
相关新闻              
 
人物
华为郭平:每个人磨好自己的豆腐,就会有一个繁荣的公司
精彩专题
专题报道丨2020年世界电信和信息社会日
专题报道丨山至高处人为峰,中国5G信号覆盖珠穆朗玛
专题报道丨助力武汉"战疫",共铸坚强后盾
2019年信息通信产业盘点暨颁奖礼
CCTIME推荐
关于我们 | 广告报价 | 联系我们 | 隐私声明 | 本站地图
CCTIME飞象网 CopyRight © 2007-2021 By CCTIME.COM
京ICP备08004280号-1  电信与信息服务业务经营许可证080234号 京公网安备110105000771号
公司名称: 北京飞象互动文化传媒有限公司
未经书面许可,禁止转载、摘编、复制、镜像