TrendForce：DDR4 领涨内存市场，DDR5/DDR3 年底小幅回调但不影响未来涨势

12 月 10 日消息，TrendForce（集邦科技）今日发布的最新报告显示，随着年底临近，不同类型 DRAM 产品呈现分化走势。

DDR5 与 DDR3 在前期大幅上涨后本周出现小幅回落，而 DDR4 尤其是 16Gb 产品，涨势依旧强劲。与此同时，NAND Flash 现货市场则在供应端的支撑下持续刷新历史高点，尽管涨幅较此前有所放缓。

在 DRAM 市场方面，DDR5 与 DDR3 在过去几周经历快速拉升后，本周迎来温和回调，主要来自部分现货交易商的年底获利了结操作。不过，这一调整并未改变整体供应紧张的市场格局。

DDR4 价格继续上行，其中 16Gb 颗粒需求强势，推动整体现货价进一步上涨。主流 DDR4 1Gx8 3200MT/s 芯片的平均现货价由上周（12 月 3 日）的 16.729 美元上涨至本周（12 月 9 日）的 17.064 美元，涨幅 2.00%。TrendForce 认为，这些短期变化并不会影响 DRAM 合约价在未来持续大幅上涨的趋势。

NAND Flash 市场方面，尽管前期涨幅较大，但本周涨势有所缓和。然而，供应商在年底前未增加晶圆投放，使得供应端成为价格支撑关键。在市场活动偏弱的情况下，晶圆现货价仍持续刷新高点。本周（12 月 9 日）512Gb TLC 晶圆现货价上涨 0.28%，达到 9.634 美元（IT之家注：现汇率约合 68.1 元人民币）。

整体来看，DRAM 与 NAND 市场都受供应紧缩影响，DDR4 仍是涨势最明显的产品线，而 NAND 价格在供应端收紧下继续维持在高位水平。