飞象网讯（崔玉贤/文）5月10日消息，联芯科技总裁孙玉望以及副总裁刘积堂接受飞象网等媒体采访时表示，TD-LTE第二阶段多模终端/芯片互操作测试已经进入尾声，联芯科技的TD-LTE双模数据卡下行速率达到了59M，测试结果理想，下一步将彻底解决话音问题。
TD-LTE双模数据卡下行速率达到了59M
据工信部规划，正在进行的TD-LTE第二阶段规模试验的重点是测试多模终端/芯片，以保证在任何地方都保持业务的连续性。目前的多模终端都需要支持TD-LTE、GSM和TD-SCDMA，并能够支持FDD。
作为在业界首个推出TD-SCDMA和TD-LTE双模芯片的厂家，联芯科技有着更多的规划。“我们和三家系统厂商的测试已经接近尾声，测试重点是双模互操作部分，测试结果不好。LTE阶段我们首先满足的是测试要求，以数据业务为主兼顾话音，下一阶段将会彻底解决话音问题。”刘积堂表示。
“联芯科技的基于LC1760芯片双模数据卡在现网测试下已经达到下行速率59M，处于了业界领先水平。”孙玉望提到。通过这个技术实验阶段测试，联芯科技希望能够进一步提高芯片性能指标，达到准商用的目标。
明年下半年解决话音问题
此外，联芯科技后续产品也已经做好准备。在TD-SCDMA/LTE芯片及终端产业高峰论坛暨第四届联芯科技客户大会上，联芯科技发布了一款可支持到TD-LTE、FDD LTE、TD-SCDMA以及GSM的LC1761四模芯片。“基于这颗芯片的产品要达到商用应该是明年的第二季度。”据悉，该款芯片主要商用的终端形态还是数据终端，像数据卡、MIFI等方面。
目前，联芯科技在TD-SCDMA上面的投入更大一些，随着时间推移，LTE的投入将会不断加大。
而在LTE工艺方面，联芯科技表示肯定会做28纳米的芯片。“我们认为数据类的终端40纳米的芯片是没有问题的，但是要做智能手机40纳米的功耗在工艺上面可能会比较吃力。28纳米从技术上来讲是功耗可以做的更低，技术上面更有保障。”孙玉望认为。刘积堂也表示联芯科技下一代LTE芯片将会采用28纳米的工艺。
另外，孙玉望表示做手机就必须解决话音问题，而TD-LTE终端如果实现同时支持语音和数据，并且有相当好的稳定性、低功耗、多模操作需要到明年下半年才能实现。
联芯科技总裁孙玉望
联芯科技副总裁刘积堂
