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为赶超台积电!三星开始批量生产6纳米芯片

2020年1月6日 14:32  集微网  作 者:木棉

据businessKorea报道,三星电子已开始批量生产基于极紫外(EUV)技术的6纳米芯片

三星于去年4月向全球客户提供7纳米产品,自开始大规模生产7纳米产品以来,三星仅在八个月内就推出了6纳米产品。三星的微加工工艺技术升级周期正在缩短,特别是向6纳米EUV工艺的过渡有望缩小与全球第一大晶圆代工厂台积电(TSMC)的差距。

据介绍,三星电子去年12月在京畿道华城校区S3线开始批量生产基于EUV技术的6纳米芯片。三星合作伙伴公司的一位官员说:“据我所知,6纳米产品已经交付给北美的大型企业客户。”行业专家认为,三星的6纳米产品将提供给高通公司。

三星希望通过开始批量生产6纳米产品给台积电施加压力。全球市场研究公司TrendForce表示,去年第四季度,台积电的市场份额占全球晶圆代工市场的52.7%,与三星的差距扩大到17.8%。

三星未能赶超台积电的主要原因是三星在16纳米和12纳米工艺之后开发7纳米工艺的时间很晚。台积电通过其7纳米技术,垄断了苹果(最大的无晶圆厂客户)的AP供应。

此前,三星电子在2014年首次将14纳米鳍式场效应晶体管(FinFET)工艺商业化,但在7纳米工艺开发中却失去了领先台积电的优势。目前,7纳米产品在三星销售中所占的份额很小。为了克服这个问题,三星正在加紧努力以缩短 7nm以下微加工工艺的开发周期。

继大量生产6纳米产品之后,三星电子计划在今年上半年推出5纳米产品。此外,三星电子有在今年上半年采用正在研发中的最新3纳米全栅极(GAA)工艺技术来制造尖端芯片的计划。GAA被认为是当前FinFET技术的升级版,能确保芯片制造商进一步缩小芯片体积。

编 辑:章芳
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