英飞凌携手Enphase通过600 V CoolMOS™ 8提升能效并降低 MOSFET相关成本

【2025年3月27日,德国慕尼黑讯】Enphase Energy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的600 V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，简化了系统设计并降低了装配成本。Enphase Energy是全球能源技术公司、基于微型逆变器的太阳能和电池系统的领先供应商。通过使用600 V CoolMOS™ 8 SJ，Enphase显著降低了其太阳能逆变器系统的MOSFET内阻（RDS(on)），进而减少了导通损耗，提高了整体设备效率和电流密度，而且还节省了与MOSFET相关的成本。

采用TOLL封装的CoolMOS™ 8

英飞凌科技高级副总裁兼总经理Richard Kuncic表示：“我们很高兴与Enphase合作，支持他们致力于完成提供创新太阳能解决方案的使命。英飞凌的600 V CoolMOS™8 SJ MOSFET专为以极低成本提供卓越的效率和可靠性而设计，这与Enphase和英飞凌通过提高可再生能源技术的性能和经济性的承诺相吻合，从而进一步推动低碳化。”

EnphaseEnergy高级副总裁兼系统业务部总经理Aaron Gordon表示：“通过与英飞凌合作，Enphase利用CoolMOS™8 SJ MOSFET技术提高了自身微型逆变器系统的性能和经济性。该合作展现了我们在太阳能行业追求创新与卓越的决心。我们很高兴能以极低的成本为客户大幅提升电流功率密度。”

英飞凌最新推出的600VCoolMOS™ 8 MOFET在全球高压超结MOSFET技术领域处于领先地位，为全球树立了技术和性价比的标准。该技术提高了充电器和适配器、太阳能和储能系统、电动汽车充电和不间断电源（UPS）等应用的整体系统性能，进一步推动了低碳化。

CoolMOS™8 SJ MOSFET的栅极电荷较CFD7降低了18%，较P7系列降低了33%。栅极电荷的降低减少了MOSFET的栅极从关断状态（非导通）切换到导通状态（导通）所需的电荷，使系统更加节能。此外，CoolMOS™ 8 SJ MOSFET拥有更快的关断时间，其热性能较上一代产品提高了14%至42%。该产品集成快速体二极管，并提供SMD-QDPAK、TOLL和Thin-TOLL 8x8封装，适用于各种消费和工业应用。

供货情况

600 V CoolMOS™8 SJ MOSFET和650 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET产品组合扩展样品将从四月初开始供应。更多信息，敬请访问www.infineon.com/coolmos8。

了解英飞凌600 V CoolMOS™8 SJ MOSFET的更多优势，请参考白皮书：“英飞凌CoolMOSTM8证明高压硅基技术在功率电子产品中仍发挥着重要作用”。