首页|滚动|国内|国际|运营|制造|监管|原创|业务|技术|报告|测试|博客|特约记者
手机|互联网|IT|5G|光通信|LTE|云计算|芯片|电源|虚拟运营商|移动互联网|会展
首页 >> 芯片 >> 正文

2年后追上台积电 三星计划2022年量产3nm:首发GAA工艺

2020年11月18日 10:17  快科技  作 者:宪瑞

在半导体晶圆代工上,台积电一家独大,从10nm之后开始遥遥领先,然而三星的追赶一刻也没放松,今年三星也量产了5nm EUV工艺。三星计划在2年内追上台积电,2022年将量产3nm工艺。

从2019年开始,三星启动了一个“半导体2030计划”,希望在2030年之前投资133万亿韩元,约合1160亿美元称为全球最大的半导体公司,其中先进逻辑工艺是重点之一,目标就是要追赶上台积电。

在最近的几代工艺上,三星的量产进度都落后于台积电,包括10nm、7nm及5nm,不过5nm算是缩短了差距,今年也量产了,此前也获得了高通、NVIDIA、IBM等客户的8nm、7nm订单。

但三星追赶台积电的关键是在下一代的3nm上,因为这一代工艺上三星押注了GAA环绕栅极晶体管,是全球第一家导入GAA工艺以取代FinFET工艺的,而台积电比较保守,3nm还是用FinFET,2nm上才会使用GAA工艺。

最新消息称,三星半导体业务部门的高管日前透露说,三星计划在2022年量产3nm工艺,而台积电的计划是2022年下半年量产3nm工艺,如此一来三星两年后就要赶超台积电了。

值得一提的是,台积电也似乎感受到了三星的压力,原本计划2024年才推出2nm工艺,现在研发顺利,2023年下半年就准确试产了。

编 辑:章芳
免责声明:刊载本文目的在于传播更多行业信息,不代表本站对读者构成任何其它建议,请读者仅作参考,更不能作为投资使用依据,请自行核实相关内容。
相关新闻              
 
人物
任正非:无论是求生存,还是谋发展,人才最关键
精彩专题
专题报道丨2020年世界电信和信息社会日
专题报道丨山至高处人为峰,中国5G信号覆盖珠穆朗玛
专题报道丨助力武汉"战疫",共铸坚强后盾
2019年信息通信产业盘点暨颁奖礼
CCTIME推荐
关于我们 | 广告报价 | 联系我们 | 隐私声明 | 本站地图
CCTIME飞象网 CopyRight © 2007-2020 By CCTIME.COM
京ICP备08004280号  电信与信息服务业务经营许可证080234号 京公网安备110105000771号
公司名称: 北京飞象互动文化传媒有限公司
未经书面许可,禁止转载、摘编、复制、镜像