【2025年10月29日,德国慕尼黑讯】工业领域中的快速直流电动汽车（EV）充电、兆瓦级充电、储能系统，以及不间断电源设备，往往需要在严苛环境条件与波动负载的运行模式下工作。这些应用对高能效、稳定的功率循环能力以及较长的使用寿命有着极高的要求。为满足这些需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了EasyPACK™ C系列产品——EasyPACK™封装家族的新一代产品。该全新封装系列的首款产品为碳化硅（SiC）功率模块，集成了英飞凌CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2技术，并采用了公司专有的.XT互连技术。通过降低静态损耗并提高可靠性，这些模块有助于满足工业应用领域日益增长的能源需求，并助力实现可持续发展目标。
凭借英飞凌的CoolSiC™ MOSFET G2技术，新产品较上一代CoolSiC™ MOSFET功率密度提升超过30%，使用寿命延长高达20倍。此外，该产品的导通电阻（RDS(on)）显著降低约25%。不仅如此，全新的EasyPACK™ C封装设计理念进一步提高了功率密度与布局灵活性，为未来更高电压等级的产品设计奠定了基础。而英飞凌的.XT互连技术进一步延长了器件的使用寿命。
英飞凌CoolSiC™ MOSFET Easy 2C .XT
该系列模块可承受结温（Tvj(over)）高达200°C的过载开关工况。搭载全新PressFIT压接引脚，其电流承载能力提升一倍，同时降低PCB板的温度，并优化安装流程。全新的塑封材质与硅凝胶设计，支持该模块在最高175°C的结温（Tvj(op)）下依然稳定运行。此外，该系列模块还具备一分钟内耐受3千伏交流电的隔离等级。这些特性共同助力该模块实现更卓越的系统能效、更长的使用寿命，以及更出色的耐高温性能。
采用EasyPACK™ C封装的全新模块提供多种拓扑结构，包括三电平（3-level）和H桥（H-bridge）配置，且同时提供含/不含热界面材料的两种版本。
