三星电子开始交付业内首批HBM4E样品，性能较上代产品提升逾20%

三星电子正在加速推进下一代高带宽存储器布局。在HBM4量产数月后，该公司已开始向主要客户交付HBM4E样品，成为业内首家出货该产品的厂商。

三星电子于5月29日宣布，已开始向全球主要客户发货12层HBM4E样品。该产品引脚传输速度稳定在14Gbps，性能可扩展至16Gbps，较HBM4提升逾20%，每个堆栈的内存带宽达3.6TB/s，容量为48GB，较上一代增加逾30%。三星表示，将根据客户时间表推进HBM4E量产。

通用DRAM价格同步上涨使HBM厂商的议价能力显著增强，三星和SK海力士均无需依赖HBM冲量，得以在价格谈判中保持强硬立场。三星HBM4此前的谈判价格已在700美元左右，较上一代HBM3E高出20%至30%。

HBM4E技术规格：速度与容量双升级

三星此次发货的HBM4E采用12层堆叠结构，容量48GB，并计划后续推出32GB（8层）和64GB（16层）版本以满足不同客户需求。

在性能参数上，HBM4E的内存带宽达3.6TB/s，主要面向大语言模型（LLM）训练及下一代AI系统的高强度数据处理场景。三星方面表示，与上一代相比，HBM4E能效提升16%，热阻特性改善逾14%，有助于在高负载数据中心环境中延长可靠性并降低能耗。

工艺层面，HBM4E沿用三星第六代10纳米级DRAM制程（1c）及三星晶圆代工4纳米逻辑基底芯片，与HBM4共用核心技术路径，旨在提升制程稳定性与良率。三星存储开发部门执行副总裁Sang Joon Hwang表示，HBM4E再次体现了三星的技术差异化优势，公司将持续推动全球AI存储市场增长。

存储价格全线上涨，韩国厂商利润有望创历史新高

市场认为通用DRAM价格暴涨后收益性已接近HBM，这使得三星和SK海力士在HBM定价上拥有更大的主动权。三星为实现利润最大化，并未将DRAM产能过度转移至HBM，而是审慎分配产能，这一策略进一步支撑了HBM的高价格区间。

HBM、通用DRAM及NAND闪存价格同步走高，为韩国存储厂商带来全面的盈利改善预期。摩根士丹利预测，三星电子今年全年营业利润将达约245.7万亿韩元，同比增幅达464%；SK海力士全年营业利润预计约179.4万亿韩元，同比增幅约280%。两家公司的业绩改善预计将贯穿全年。